新潔能提供擊穿電壓等級范圍為25V至150V的N溝道Super Trench Gen.3系列功率MOSFET 產品，其超低的導通電阻（R_DS(on)）與超低柵極電荷（Q_g）的特點，結合先進輕巧緊湊的封裝進一步提高了系統的功率密度與能量轉換效率。

同時，面向性能與魯棒性要求極為苛刻的低頻應用，新潔能N溝道Super Trench Gen.3系列產品進一步優化了大電流關斷能力、反向恢復過流能力、靜電防護能力，可滿足包括直流電機驅動、鋰電池保護、AC/DC同步整流等廣泛應用。此外，相比于新潔能上一代Super Trench Gen.2系列產品，Super Trench Gen.3系列產品特征導通電阻R_on.sp 降低30%，FOM值降低30%，為設計人員進一步提高系統效率提供了更優的選擇。

注：“Super Trench MOSFET”又稱“SGT MOSFET”。 

以100V SGT為例，Gen.3產品相對Gen.1 R_sp（特征導通電阻）降低56%，相對Gen.2 R_sp降低34%。

100V SGT代表產品與競品參數對比

以一款100V/120A SGT Gen.3產品為例，基于72V 12管二輪電動車控制器電路，相同外圍條件，與主流競品對比做堵轉測試，100V Gen.3產品相對競品米勒振蕩大幅降低，系統穩定性提升。

SGT Gen.3 控制器波形_堵轉

主流競品 控制器波形_堵轉

以150V SGT為例，基于雙脈沖測試平臺，Gen.3相對Gen.1和主流競品RRSOA（反向恢復安全工作區）提升1倍以上。

備注：測試設備極限電流能力為430A

雙脈沖測試電路圖

雙脈沖測試平臺

Super Trench Gen.3命名規則

Super Trench Gen.2命名規則

Super Trench Gen.1命名規則